Typowa Pani Domu
Jaką Panią Domu jesteś? Perfekcyjną, wystarczająco dobrą, czy może... hmm.. beznadziejną (żeby nie powiedzieć ***jową)? Ja się chyba zaliczam do tej ostatniej kategorii. Moje bizancjum syfu nie świadczy za dobrze o moich kompetencjach do prowadzenia domu. Ale wiecie co? Są ważniejsze rzeczy, zwłaszcza jeśli nie odziedziczyło się po matce genu pedantyzmu. Oczywiście, to jest przerysowane określenie, może grafomańskie nawet. Ale fakt faktem - sprzątanie nie jest moim życiowym powołaniem. I co z tego!
Podstawa prawna (wikipedia):
Problem unieszkodliwiania ścieków odprowadzanych z domów regulowany jest rozporządzeniem Ministra Środowiska z dnia 24 lipca 2006 r. w sprawie warunków, jakie należy spełnić przy wprowadzaniu ścieków do wód lub do ziemi, oraz w sprawie substancji szczególnie szkodliwych dla środowiska wodnego (Dz.U. z 2006 r. nr 137, poz. 984)1. Zgodnie z § 11 ust. 5 rozporządzenia, ścieki pochodzące z gospodarstwa domowego mogą zostać odprowadzone do ziemi w granicach gruntu będącego własnością wprowadzającego, przy zachowaniu następujących warunków:
ilość ścieków nie przekracza 5 m?/dobę,
BZT5 ścieków jest zredukowane o co najmniej 20% a zawartość zawiesin ogólnych o 50% w wyniku wstępnego oczyszczenia,
miejsce wprowadzania ścieków oddziela od poziomu wodonośnego warstwa gruntu miąższości co najmniej 1,5 metra.
Dodatkowymi kryteriami są kryteria związane z terenami dla których nie ma miejscowego planu zagospodarowania przestrzennego. O możliwości powstania oczyszczalni stanowią wtedy również przepisy szczególne, między innymi te z zakresu ochrony środowiska. Uniemożliwiają one budowę oczyszczalni na:
obszarach objętych ochroną (parki krajobrazowe, strefy ochronnych ujęć wody)
obszary zagrożone powodziami
obszary narażone na zalewanie wodami opadowymi
Diody led
Wynalezienie diody
Do produkcji weszła w latach sześćdziesiątych w formie opracowanej przez amerykańskiego inżyniera Nicka Holonyaka juniora, który jest uważany za jej wynalazcę.
Możliwe jest, że została wynaleziona już wcześniej, w latach 20. XX wieku. Radziecki technik radiowy Oleg Łosiew zauważył, że diody ostrzowe używane w odbiornikach radiowych emitują światło, w latach 1927-30 opublikował łącznie 16 artykułów opisujących działanie diod elektroluminescencyjnych
Działanie
Działanie diody elektroluminescencyjnej (LED) opiera się na zjawisku rekombinacji nośników ładunku (rekombinacja promienista). Zjawisko to zachodzi w półprzewodnikach wówczas, gdy elektrony przechodząc z wyższego poziomu energetycznego na niższy zachowują swój pseudopęd. Jest to tzw. przejście proste. Podczas tego przejścia energia elektronu zostaje zamieniona na kwant promieniowania elektromagnetycznego. Przejścia tego rodzaju dominują w półprzewodnikach z prostym układem pasmowym, w którym minimum pasma przewodnictwa i wierzchołkowi pasma walencyjnego odpowiada ta sama wartość pędu.
Półprzewodnikiem cechującym się tego rodzaju przejściami jest arsenek galu (GaAs) i między innymi dzięki tej własności głównie on jest wykorzystywany do produkcji źródeł promieniowania (drugim powodem jest bardzo duża sprawność kwantowa ? jest to parametr określający udział przejść rekombinacyjnych, w wyniku których generowane są fotony do ilości nośników ładunku przechodzących przez warstwę zaporową złącza p-n, przejścia rekombinowane zachodzą w obszarze czynnym złącza).
przy czym:
Nfot ? całkowita ilość fotonów generowanych wewnątrz obszaru czynnego;
Nnośo ? całkowita ilość nośników wstrzykiwanych do obszaru czynnego złącza;
Pprom ? moc promieniowania generowanego wewnątrz półprzewodnika;
h ? stała Plancka;
v ? częstotliwość generowanego promieniowania;
I ? prąd elektryczny doprowadzony do diody;
e ? ładunek elektronu.
W krzemie i germanie dominują przejścia skośne.
Luminescencja jest zjawiskiem fizycznym polegającym na emitowaniu przez materię promieniowania elektromagnetycznego pod wpływem czynnika pobudzającego, które dla pewnych długości fali przewyższa emitowane przez tę materię promieniowanie temperaturowe. W diodzie elektroluminescencyjnej (LED) mamy do czynienia z tzw. elektroluminescencją, przy wytworzeniu której źródłem energii pobudzającej jest prąd elektryczny dostarczony z zewnątrz, czasami pole elektryczne. Najefektywniejsza elektroluminescencja w półprzewodniku powstaje w wyniku rekombinacji swobodnych nośników ładunku w złączu p-n, gdy jest ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Intensywność świecenia zależy od wartości doprowadzonego prądu, przy czym zależność ta jest liniowa w dużym zakresie zmian prądu. Zjawiska przeszkadzające elektroluminescencji to pochłanianie wewnętrzne i całkowite odbicie wewnętrzne. Długość fali generowanego promieniowania:
przy czym:
Wg = Wc ? Wv ? szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów, między którymi zachodzi rekombinacja,
h ? stała Plancka,
c ? prędkość światła.
Miarą strat na odbicie wewnętrzne i pochłanianie jest stosunek zewnętrznej do wewnętrznej sprawności kwantowej nqz/nnw. O ile wewnętrzna sprawność kwantowa nqw jest zależna od technologii procesu wytwarzania złącza oraz właściwości zastosowanego półprzewodnika, o tyle na zewnętrzną sprawność kwantową ma także wpływ kształt diody.
Na rysunku a) przekrój diody elektroluminescencyjnej płaskiej, a na rysunku b) półsferycznej. Kąt krytyczny, przy którym występuje pełne odbicie wewnętrzne
przy czym n* jest współczynnikiem załamania.
Pochłanianie wewnętrzne może być wyrażane za pomocą funkcji exp, gdzie a(l) jest współczynnikiem absorpcji dla danej długości fali, x zaś określa odległość od miejsca rekombinacji promienistej do powierzchni emitującej promieniowanie diody na zewnątrz.
Całkowitą sprawność zamiany energii elektrycznej na energię promienistą w przypadku omawianej diody płaskiej określa zależność:
przy czym:
P ? moc wejściowa elektryczna;
4n*/(n*+1)? ? współczynnik transmisji (przepuszczalności) promieniowania z wnętrza półprzewodnika do powietrza;
f(l) ? strumień fotonów;
R ? współczynnik odbicia od kontaktu tylnego;
?n, ?p ? współczynnik absorpcji w obszarze n lub p diody;
xn , xp ? grubość obszaru n lub p diody.
Złącza p-n diod elektroluminescencyjnych z GaAs wykonuje się zazwyczaj techniką dyfuzyjną, co zapewnia im wysoką sprawność kwantową.
Promieniowanie diod elektroluminescencyjnych z GaAs można uczynić widzialnym za pomocą przetworników podczerwieni, na przykład przez pokrycie powierzchni diody odpowiednim luminoforem. Promieniowanie widzialne emitują diody elektroluminescencyjne z półprzewodników trójskładnikowych GaAsP, w których tak samo jak w GaAs są spełnione warunki dla prostych przejść rekombinacyjnych. Diody z GaAsP emitują światło czerwone o długości fali l = 650 nm.
Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem temperatury złącza. Diody emitują promieniowanie w bardzo wąskim przedziale widma: od 490 nm ? kolor niebieski do 950 nm ? bliska podczerwień.
Diody elektroluminescencyjne są wytwarzane z materiałów półprzewodnikowych (pierwiastki z III i V grupy układu okresowego np. arsenek galu GaAs, fosforek galu GaP, arseno-fosforek galu GaAsP o odpowiednim domieszkowaniu). Barwa promieniowania emitowanego przez diody elektroluminescencyjne zależy od materiału półprzewodnikowego; są to barwy: niebieska, żółta, zielona, pomarańczowa, czerwona.
Źródło: http://pl.wikipedia.org/wiki/Dioda_elektroluminescencyjna